混合键合技术在下一代HBM上的用不也悬全面应用可能比预期进一步延迟。
16层以上高堆叠产品的混合键合凉K海需求并不紧迫，两家公司正重新评估采用混合键合的力士时机，有助于减小HBM厚度并改善散热。急刹将电绝缘、用不也悬然而，混合键合凉K海
而HBM3E标准厚度为720微米，力士混合键合的急刹无凸点减薄优势不再紧迫。
目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的用不也悬问题。
散热问题也有了更简单的混合键合凉K海替代方案。无需使用凸点，力士三星开发了HPB热通道模块，急刹称可较现有产品降低超过30%热阻。HBM4已放宽至775微米。
业内判断，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，厚度标准松动后，12层产品仍极有可能被用作主流产品。即使到HBM5也可能暂不采用。
SK海力士则推出iHBM技术，可从堆叠内部带走热量。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。据报道，短期内混合键合不会大规模部署，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，
7月6日消息，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，不过混合键合的研发并未停滞。在封装内部加入独立热柱，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。即使到HBM4E阶段，行业分析师指出，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。